• 专利申请
    2015-12-04
  • 公布公告
    2016-11-30
  • 授权日期
    2016-11-30
  • 终止
    2026-11-28
一种六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法
一种六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN201510878324.X 2015-12-04 C01B35/04 {{ classMap["C01B35/04"] }}
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湖南省长沙市岳麓区麓山路36号湖南师范大学量子楼
专利分类项目

C01B35/04 : 金属硼化物

B82Y30/00 : 用于材料和表面科学的纳米技术，例如：纳米复合材料

专利注册信息
初审公告期号 2015-12-04 初审公告日期 2016-11-30
注册公告期号 2016-11-30 注册公告日期 2016-11-30
专用权期限 2016-11-30 - 2026-11-28 专利类型 发明授权
代理组织机构 长沙星耀专利事务所 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
一种六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，包括如下步骤：（1）将硼源置于管式电炉上气流方向的温区1，镧源置于下气流方向的温区2，硅衬底置于温区2镧源的下气流方向，重复洗气；（2）通入保护性气氛，将温区1和温区2分别升温至500～600℃和800～900℃，保温5～10min后，将温区1和温区2分别升温至900～1100℃和900～1100℃，保温20～120min，自然冷却，得六硼化镧准一维纳米结构阵列材料。本发明方法首次实现六硼化镧准一维纳米结构阵列大规模直接可控生长，其长径比大，单分散性好，可广泛应用于电学领域；固态硼源无腐蚀性、无毒、易运输；本发明方法简单、成本低，便于工业化生产。
法律进度

  • 2016-11-30 授权 ...

  • 2016-05-18 实质审查的生效 IPC(主分类): C01B 35/04 专利申请号: 201510878324.X 申请日: 2015. ...

  • 2016-04-20 公开 ...

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