• 专利申请
    2015-09-02
  • 公布公告
    2015-11-25
  • 授权日期
    2017-02-22
  • 终止
    2025-11-22
一种使用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法
一种使用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN201510553532.2 2015-09-02 B23K1/19 {{ classMap["B23K1/19"] }}
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黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
专利分类项目

B23K1/19 : 考虑到被钎焊的材料性质的

B23K1/20 : 工件或钎焊区的预处理，如电镀

B32B15/00 : 实质上由金属组成的层状产品

B32B17/06 : 由玻璃组成作为薄层的主要或惟一的成分，它与另一层由一种特定物质构成的薄层相贴

B32B38/00 : 与层压方法有关的辅助操作

C23C14/16 : 在金属基体或在硼或硅基体上

C23C14/18 : 在其他无机物基体上

C23C14/58 : 后处理

专利注册信息
初审公告期号 2015-09-02 初审公告日期 2015-11-25
注册公告期号 2017-02-22 注册公告日期 2017-02-22
专用权期限 2015-11-25 - 2025-11-22 专利类型 发明公开
代理组织机构 哈尔滨龙科专利代理有限公司 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明公开了一种采用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法，其步骤如下：步骤一：在基板表面制备种子层；步骤二：在种子层表面继续制备金属薄膜；步骤三：在金属薄膜表面制备Sn膜；步骤四：加热上述基板及双层薄膜，制备出金属间化合物薄膜；步骤五：将金属间化合物薄膜分别转移到芯片、基板焊盘表面；步骤六：在金属间化合物薄膜表面镀Sn薄膜；步骤七：将焊盘对接，施加压力，放入回流炉中，经历预热、保温、再流、冷却阶段。本发明大大缩短可用于高温封装互连的金属间化合物焊点的制备时间，并实现对后续生长金属间化合物的晶粒取向和数量的控制，达到金属间化合物焊点快速制备、微观组织可控的目的。
法律进度

  • 2017-02-22 授权 ...

  • 2015-12-23 实质审查的生效 IPC(主分类): B23K 1/19 专利申请号: 201510553532.2 申请日: 2015.0 ...

  • 2015-11-25 公开 ...

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