CMOS接触式荧光检测分析阵列传感芯片[CN201310542472.5] - 浙江工业大学

专利申请

2013-11-05
公布公告

2016-05-18
授权日期

2016-05-18
终止

2026-05-16

CMOS接触式荧光检测分析阵列传感芯片

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201310542472.5 申请日期： 2013-11-05 专利主类别： G01N21/64 {{ classMap["G01N21/64"] }}

申请人名称：浙江工业大学

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申请人地址：浙江省杭州市下城区潮王路18号

专利分类项目

G01N21/64 : 荧光；磷光

H01L27/144 : 由辐射控制的器件

专利注册信息

初审公告期号	2013-11-05	初审公告日期	2016-05-18
注册公告期号	2016-05-18	注册公告日期	2016-05-18
专用权期限	2016-05-18 - 2026-05-16	专利类型	发明授权
代理组织机构	杭州天正专利事务所有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

CMOS接触式荧光检测分析阵列传感芯片，包括芯片本体，所述的芯片本体包括硅胶衬底、SU-8厚胶、信号处理电路、光电传感阵列、有源预处理放大阵列和异步时序控制电路，SU-8厚胶固定在所述的硅衬底上表面，SU-8厚胶上设置至少一个荧光反应池组，每个荧光反应池组由至少一个微反应池成；位于荧光反应池组正下方的硅胶衬底上铺设相应的信号处理电路、光电传感阵列、有源预处理放大阵列和异步时序控制电路；信号处理电路的信号输出端与压焊块连接。本发明有益效果是：光电PN结二极管可将荧光转换成光电流；光电PN结二极管与有源信号处理电路单片集成，减少信号传递损耗和实现检测微型化；微反应池可进行单个或多个样品同时检测。

法律进度