PXIe接口NandFlash数据流盘存取加速方法[CN201310112830.9] - 哈尔滨工业大学

专利申请

2013-04-02
公布公告

2015-09-16
授权日期

2015-09-16
终止

2025-09-13

PXIe接口NandFlash数据流盘存取加速方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201310112830.9 申请日期： 2013-04-02 专利主类别： G06F3/06 {{ classMap["G06F3/06"] }}

申请人名称：哈尔滨工业大学

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申请人地址：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

专利分类项目

G06F3/06 : 来自记录载体的数字输入，或者到记录载体上去的数字输出

专利注册信息

初审公告期号	2013-04-02	初审公告日期	2015-09-16
注册公告期号	2015-09-16	注册公告日期	2015-09-16
专用权期限	2015-09-16 - 2025-09-13	专利类型	发明授权
代理组织机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所查看该机构代理的所有专利

专利介绍

PXIe接口Nand Flash数据流盘存取加速方法，本发明具体涉及PXIe接口Nand Flash数据流盘存取加速方法。它为了解决高速数据流盘对I/O速率要求很高，无法最大限度提高Nand Flash阵列的存取速度，Nand Flash存取速率与PXI Express高速接口速率不匹配的问题。该方法为：采用三级加速编程的方式对Nand Flash编程，在每个最小控制单元的编程序列中加入一级预编程操作，使得每个最小控制单元的第n+1次编程操作都能够滞后于第n次编程操作；从4片Nand Flash芯片中读取数据的过程，实现数据读取的流水线加速。本发明适用于测试领域。

法律进度