• 专利申请
    2017-01-21
  • 公布公告
    2018-10-26
  • 授权日期
    2018-10-26
  • 终止
    2028-10-23
一种InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路
一种InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN201710044447.2 2017-01-21 H05B33/08 {{ classMap["H05B33/08"] }}
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陕西省西安市长安南路199号
专利分类项目

H05B33/08 : 并非适用于一种特殊应用的电路装置

专利注册信息
初审公告期号 2017-01-21 初审公告日期 2018-10-26
注册公告期号 2018-10-26 注册公告日期 2018-10-26
专用权期限 2018-10-26 - 2028-10-23 专利类型 发明授权
代理组织机构 西安通大专利代理有限责任公司 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明公开了一种InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路，利用电流脉冲峰值技术，肖特基二极管SBD1和SBD2和电容C构成的回路会产生电流峰值，从而可以使光脉冲的上升时间缩短几个纳秒，缩短了光脉冲的上升时间；第一电感L1连接在LED阴极与偏压电源Vcc之间，在电流脉冲下降的阶段，利用电感提供的反向电流回路，产生一个下冲电流，从而可减小光脉冲的下降时间，以加速LED熄灭，大大的改善光脉冲的下降时间；高速场效应管的开关电路主要是通过增加辅助开关给主开关的寄生输出电容快速充电，来缩短主开关的关闭时间，来提高场效应管的开关速率；将LED的阳极与直流偏压Vcc相连接，这样就可以在电流脉冲到来之前给等效电容充满电，从而较有效的缩短了LED导通的延时，较大改善LED的瞬态响应时间。
法律进度

  • 2018-10-26 授权 ...

  • 2017-07-14 实质审查的生效 IPC(主分类): H05B 33/08 专利申请号: 201710044447.2 申请日: 2017. ...

  • 2017-06-20 公开 ...

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